Иллюстрированный самоучитель по OrCAD


Полупроводниковые приборы - часть 2


.MODEL

<имя модели>

NIGBT

[(параметры модели)]


Полевой транзистор

с управляющим p-n-переходом описывается предложением

Зххх<узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]


Модели полевых транзисторов задаются в виде

.MODEL

<имя модели>

NJF

[(параметры модели)]

.MODEL

<имя модели>

PJF

[(параметры модели)]


Арсенид-галлиевый полевой транзистор

с управляющим р-я-переходом и каналом n-типа описывается предложением

Еххх <узел стока><узел затеораХузел истока> <имя модели> + [<коэффициент кратности Агеа>]


Модель арсенид-галлиевого полевого транзистора задается в виде .MODEL

<имя модели>

GASFET

[(параметры модели)]

МОП-транзистор

описывается предложением

Mxxx <узел стокаХузел затеораХузел истока> <узел подложки> + <имя модели>


+ [L=<значение>] [W=<значение>] [АD=<значение>] [АS=<значение>]

+

[PD=<значение>] [PS=<значение>] [NRD=<значение>]

[NRS=<значение>]

+

[NRG=<значение>] [NRB=<значение>] [М=<значение>]


Необязательные параметры приведены в табл. 4.24.

Параметры L и W могут быть заданы при описании модели МОП-транзистора по директиве .MODEL; кроме того, параметры L, W, AD и AS по умолчанию принимают значения, присваиваемые по директиве .OPTIONS (см. разд. 4.1).

Модели МОП-транзисторов задаются в виде

.MODEL

<имя модели> NMOS[(параметры модели)]

.MODEL

<имя модели> РMOS[(параметры модели)]


Таблица 4.24. Необязательные параметры модели МОП-транзистора


Обозначение


Параметр


Значение по умолчанию


Размерность


L

Длина канала

DEFL

м

W

Ширина канала

DEFW

м

AD

Площадь диффузионной области стока

DEFAD

м

AS

Площадь диффузионной области истока

DEFAS

м

PD

Периметр диффузионной области стока

0

м

PS

Периметр диффузионной области истока

0

м

NRD

Удельное относительное сопротивление стока

1

-

NRS

Удельное относительное сопротивление истока

1

-

<


Начало  Назад  Вперед