Иллюстрированный самоучитель по OrCAD


Полупроводниковые приборы



Полупроводниковые приборы, математические модели которых встроены в программу PSpice, описываются большим количеством параметров, задаваемых с помощью директивы .MODEL. Перечень и смысл этих параметров подробно объясняются в [7]. Директиву .MODEL можно поместить в описание анализируемой схемы или в файл библиотеки, доступ к которому осуществляется с помощью директивы .LIB. Описание конкретного полупроводникового прибора содержит его имя, номера узлов подключения, имя модели и коэффициент кратности Area, с помощью которого имитируется параллельное включение нескольких одинаковых приборов.

Диод

описывается предложением

Dxxx <узел

анода>

<узел катода> <имя модели>

+ [<

коэффициент кратности Аrеа>]


Модель диода задается в виде

.MODEL

<имя модели> D[(параметры модели)}


Пример 1.

Включим между узлами 1 и

2

диод DB, параметры которого вводятся с помощью директивы .MODEL:

D1 12 D9B

.MODEL D9B D(IS=5UA RS=14 BV=2.81 IBV=5UA)

Пример 2.

Включим между узлами 1 и

2

диод D104A, параметры которого записаны в библиотечном файле d.lib

D1 1 2D104A .LIB D.LIB

Биполярный транзистор

описывается предложением

Qxxx <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера>


+ [<узел подложки>] <имя модели> [<коэффициент кратности Агеа>]


Модели биполярных транзисторов задаются в виде

.MODEL

<имя модели>

NPN

[(параметры модели)}

.MODEL

<имя модели>

PNP

[(параметры модели)}

.MODEL

<имя модели> LPNP[(napaMempbt модели)]


Статически индуцированный биполярный транзистор

описывается предложением

Zxxx <узел коллектора> <узел затвора> <узел эмиттера> + <имя модели> [АRЕА=<значение>] [WB-<значение>] + [АGD=<значение>] [КР=<значение>] [ТАU=<значение>]


Назначение необязательных параметров AREA, WB, AGD, КР и TAU указано в [7]

.

Модели статически индуцированных биполярных транзисторов задаются в виде



Начало  Назад  Вперед