Иллюстрированный самоучитель по OrCAD


Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor - часть 5


Звездочками * в приводимых ниже перечнях отмечены параметры, не оцениваемые в программе Model Editor; им по умолчанию присваиваются типичные значения.

Диоды.

Паспортные данные диода, которые вводит пользователь (тип модели DIODE), и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.5.

Таблица 5.5. Диоды


Символы данных


Справочные данные


Параметры модели


Имя


Значение по умолчанию


Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ)

Vfwd, Ifwd

Координаты точек ВАХ диода

IS RS

10-

4

А 0,1 Ом



N

1



IKF

0



XTI*

3



EG*

1,11 В

Junction Capacitance (Барьерная емкость)

Vrev, Cj

Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения

CJO VJ М

1 пФ 0,75 В 0,3333



FC*

-0,5 В

 

Символы данных


Справочные данные


Параметры модели


Имя


Значение по умолчанию


Reverse Leakage (Сопротивление утечки)

Vrev, Irev

Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения

ISR NR

100 пА

2


Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации)

Vz

Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz

BV IBV

100 В 100 мкА

Iz

Ток пробоя (стабилизации)

Zz

Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz)

Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда)

Trr

Время рассасывания носителей заряда

ТТ

5 не

Ifwd

Ток диода в прямом направлении до переключения

Irev

Обратный ток диода после переключения

Rl

Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора)

Биполярные транзисторы.

В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.



Начало  Назад  Вперед