Иллюстрированный самоучитель по OrCAD


Программа расчета параметров моделей аналоговых компонентов Model Editor - часть 7


/p>

Статически индуцированный биполярный транзистор.

Паспортные данные статически индуцированного биполярного транзистора (Ins Gate Bipolar Transistor), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе, приведены в табл. 5.7.

Таблица 5.7. Статически индуцированные биполярные транзисторы


Символы данных

Справочные данные

Параметры модели

Имя

Значение по умолчанию

Fall Time (Время спада)

Icmax

Абсолютное значение максимального тока коллектора при температуре 25 °С

AGD AREA TAU

5*10

-5

см

2

5*10

-6

м

2

7,1 мкс

Bvces

Абсолютное значение максимального напряжения пробоя коллектор-эмиттер при коротком замыкании затвор-эмиттер

tf

Время спада тока коллектора при индуктивной нагрузке при заданных значениях Ic, Vce

 

Символы данных


Справочные данные


Параметры модели


Имя


Значение по умолчанию


Ic

Ток коллектора

WB

9*10

-5

м

Vce

Напряжение коллектор-эмиттер

Transfer Characteristics (Проходная характеристика)

Vge, Ic

Зависимость тока коллектора 1с от смещения затвор-эмиттер Vge

КР

VT

0,38 А/В

2

2 В

Saturation Characteristics (Характеристики насыщения)

Vce, Ic

Зависимость тока коллектора 1с от напряжения коллектор-эмиттер Vce в режиме насыщения

KF

1 А/В

2


Vge

Напряжение затвор-эмиттер, при котором проведены измерения

Gate Charge (Заряд области затвора)

Qge

Заряд области затвор-эмиттер в состоянии «включено»

CGS COXD VTD

12,4 нФ/В

2

35 нФ/В

2

-5 В

Qgc

Заряд области затвор-коллектор в состоянии «включено»

Qg

Общий заряд затвора в состоянии «включено»

Vg

Напряжение на затворе, при котором измерен заряд Qg

Vce

Напряжение на коллекторе, при котором измерены Qge, Qgc, Qg

Ic

Ток коллектора, при котором измерены Qge, Qgc, Qg

<


Начало  Назад  Вперед